Intéressons nous maintenant
à l'instabilité de mise en paquets des marches induite par électromigration. On appelle électromigration la dérive des défauts d'un cristal sous l'action d'un courant électrique.
Cela concerne aussi bien les défauts dans le volume du cristal que les défauts surfaciques. Pour une surface, les adatomes sont de tels défauts ; lorsqu'elle est soumise à un courant électrique ceux-ci subissent une force entraînant leur dérive.
Cette migration d'adatomes peut être
à l'origine de l'instabilité
de mise en paquets des marches de la surface vicinale.
Longtemps considérée comme dommageable pour l'état de surface des cristaux, ce n'est que récemment que des études systématiques de cette instabilité ont été réalisées.
Les premières études quantitatives de cette instabilité de mise en paquets de marches induite par électromigration sont dues à Latyshev et al. [#!Latyshev89!#]. Les auteurs ont examiné l'effet d'un courant continu perpendiculaire aux marches sur la morphologie des surfaces vicinales de Silicium (1, 1, 1) dans divers régimes de température à l'aide d'observation par microscopie électronique par réflection.
Bien que l'étude de cette instabilité ait connu un engouement considérable ces dernières années, le Silicium (1, 1, 1) est de loin le seul système physique sur lequel des expériences
étendues et systématiques ont été développées.
Ce sont donc naturellement les surfaces vicinales de Silicium (1, 1, 1) qui nous servirons de système modèle pour l'étude de la dynamique de mise en paquets des marches sous électromigration.